| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2014-08-18 |
| タイトル |
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タイトル |
シリコン半導体検出器におけるプラズマ効果の研究(I) |
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言語 |
ja |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
シリコン半導体検出器 |
| キーワード |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
プラズマ効果 |
| キーワード |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
酸素イオン |
| キーワード |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
立ち上がり時間 |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34429/00000839 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| タイトルヨミ |
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ja-Kana |
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シリコン ハンドウタイ ケンシュツキ ニオケル プラズマ コウカ ノ ケンキュウ 1 |
| タイトル(別表記) |
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その他のタイトル |
Study of Plasma Effects in Silicon Semiconductor Detectors (I) |
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言語 |
en |
| 著者名 |
北原, 哲夫
伊藤, 眞
荻野, 晃也
牛田, 恵美子
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| 著者名(別表記) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
4952 |
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姓名 |
Kitahara, Tetsuo(en) |
| 著者名(別表記) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
4953 |
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姓名 |
Ito, Shin(en) |
| 著者名(別表記) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
4954 |
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姓名 |
Ogino, Koya(en) |
| 著者名(別表記) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
4955 |
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姓名 |
Ushida, Emiko(en) |
| 内容 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
表面障壁型シリコン半導体検出器(Si-SBD)は、運動エネルギーが数MeV以上の重イオン検出に際して""プラズマ効果"と称される特異な応答を示す。本研究では、このプラズマ効果を調べるため、京都大学タンデム加速器からのO(酸素)イオンビームを用いてパルスの波高と立ち上がり時間を測定した。Si-SBDへの前面および裏面入射して得た立ち上がり時間からプラズマ時間を導出した。プラズマ時間のエネルギー、阻止能および印加電圧依存性に関して、Seibt達の理論モデルと比較検討した。 |
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言語 |
ja |
| 出版者 |
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出版者 |
山梨医科大学 |
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言語 |
ja |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0910-5069 |
| NCID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10032951 |
| 書誌情報 |
ja : 山梨医科大学紀要
en : Bulletin of Yamanashi Medical University
巻 6,
p. 51-57,
発行日 1989
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| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
KJ00000561040.pdf (544.8 kB)
